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HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFH/IXFT 24N50Q
IXFH/IXFT 26N50Q
500 V 24 A
500 V 26 A
t rr ≤ 250 ns
0.23 ?
0.20 ?
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
24N50Q
26N50Q
24N50Q
24
26
96
A
A
A
I AR
T C = 25 ° C
26N50Q
24N50Q
104
24
A
A
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
26N50Q
26
A
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
30
1.5
5
300
mJ
J
V/ns
W
G = Gate,
S = Source,
G
S
D = Drain,
TAB = Drain
(TAB)
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
T stg
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
-55 ... +150
300
1.13/10
6
4
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
IXYS advanced low Q g process
International standard packages
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
rated
Fast switching
min.
typ.
max.
Molding epoxies meet UL 94 V-0
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
flammability classification
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
2.5
4.5
± 100
V
nA
Advantages
Easy to mount
Space savings
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
24N50Q
26N50Q
25
1
0.23
0.20
μ A
mA
?
?
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98512G(03/03)
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